TY - JOUR AU - Осадчук, О. В. AU - Мартинюк, В. В. AU - Євсєєва, М. В. AU - Селецька, О. О. PY - 2019/08/30 Y2 - 2024/03/29 TI - ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ТЕМПЕРАТУРИ НА ФІЗИЧНІ ПАРАМЕТРИ НАПІВПРОВІДНИКА µ-МЕТОКСО(КУПРУМ(ІІ), БІСМУТ(ІІІ)) АЦЕТИЛАЦЕТОНАТУ JF - Вісник Вінницького політехнічного інституту JA - Вісник ВПІ VL - 0 IS - 4 SE - Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування DO - 10.31649/1997-9266-2019-145-4-80-86 UR - https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/2389 SP - 80-86 AB - <p>Гетерометалевим комплексним сполукам притаманний напівпровідниковий тип провідності, інтервал робочих температур яких залежить від природи центральних атомів металів, місткових лігандів, стереохімії метал-лігандного оточення, і можуть бути використані як напівпровідниковий матеріал.</p><p>Розроблена методика синтезу гетерометалевого µ-метоксо(купрум(ІІ), бісмут(ІІІ)) ацетилаце­тонату(І). Cинтезовано напівпровідниковий матеріал µ-метоксо(купрум(ІІ), бісмут(ІІІ)) ацетилацетонат, такого складу: Cu<sub>3</sub>Bi(AA)<sub>4</sub>(OCH<sub>3</sub>)<sub>5</sub>, де HAA = H<sub>3</sub>C–C(O)–CH<sub>2</sub>–C(O)–CH<sub>3</sub>.</p><p>Метою дослідження є дослідження впливу температури на фізичні параметри синтезованого напівпровідникового матеріалу.</p><p>Проведено експериментальні вимірювання та теоретичні розрахунки залежностей основних фізичних параметрів цього матеріалу від температури та магнітного поля. Так, в діапазоні температур від 273 К до 493 К питомий опір зразків досліджуваного матеріалу зменшився з 1,35∙10<sup>14</sup> Ом∙м до 1,5∙10<sup>-4 </sup>Ом∙м; опір зразка, розмірами 0,5×0,5×0,15 мм, за 273 К рівний 9,01∙10<sup>17</sup> Ом, а за 493 К — 1 Ом; концентрація носіїв заряду за температури 273 К становить 4,9∙10<sup>17 </sup>м<sup>-3</sup>, за 323 К — 8,2∙10<sup>23</sup> м<sup>-3</sup>, тоді як за температури 493 К концентрація носіїв вже становить 4,4∙10<sup>35</sup> м<sup>-3</sup>; величина струму за напруги живлення 1 В та температури 273 К — І = 1,1∙10<sup>-18 </sup>А, максимальне значення струму досягається за температури 493 К — І = 0,99 А. Залежності напруженності Холлівського поля в середині напівпровідника від індукції магнітного поля за різних температур, та напруги Холла показують, що дані величини не залежать від температури і, збігаються в одну лінію. В діапазоні від 0 до 200 мТ Холлівська напруга зростає від 1,12·10<sup>-11</sup> до 2,24·10<sup>-10</sup> В, від 200 до 600 мТ — від 2,24·10<sup>-10</sup> В до 6,73·10<sup>-10</sup> В і від 600 мТ до 1000 мТ — Холлівська напруга зростає від 6,73·10<sup>-10 </sup>до 1,12·10<sup>-9 </sup>В. Доведено, що цей матеріал є напівпровідником, причому з носіями заряду обох знаків.</p> ER -