ОПТИМІЗАЦІЯ РЕЖИМІВ ФОРМУВАННЯ ІНЖЕКТУЮЧИХ БАР’ЄРНИХ ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ СРІБЛА ДО АРСЕНІДУ ГАЛІЮ
Ключові слова:
срібло, арсенід галію, висота бар’єра, термічна обробкаАнотація
Процеси, які відбуваються при взаємодії металів з напівпровідниковими сполуками А3В5, є предметом інтенсивних досліджень, які підтвердили складність процесів, котрі протікають у контактах на межі розподілу фаз. Досліджено умови виготовлення та режими термічної обробки контакту Ag/n-n+GaAs. Визначені: температура підкладки; температура відпалу, час відпалу; швидкість підвищення температури відпалу та охолодження для отримання бар’єрного переходу Ag/n-n+GaAs з висотою бар’єра 0,98 В. Підвищення висоти потенційного бар’єра пов’язане з поліпшенням адгезії плівок, а також початком взаємної дифузії хімічних елементів срібла, галію та миш’яку, що утворюють контакт.
##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 62
Переглядів анотації: 76
Опубліковано
2017-08-31
Як цитувати
[1]
В. С. Дмитрієв, «ОПТИМІЗАЦІЯ РЕЖИМІВ ФОРМУВАННЯ ІНЖЕКТУЮЧИХ БАР’ЄРНИХ ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ СРІБЛА ДО АРСЕНІДУ ГАЛІЮ», Вісник ВПІ, вип. 4, с. 88–92, Серп. 2017.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, згодні з такими умовами:
- Автори зберігають авторське право і надають журналу право першої публікації.
- Автори можуть укладати окремі, додаткові договірні угоди з неексклюзивного поширення опублікованої журналом версії статті (наприклад, розмістити її в інститутському репозиторії або опублікувати її в книзі), з визнанням її первісної публікації в цьому журналі.
- Авторам дозволяється і рекомендується розміщувати їхню роботу в Інтернеті (наприклад, в інституційних сховищах або на їхньому сайті) до і під час процесу подачі, так як це може привести до продуктивних обмінів, а також скорішого і ширшого цитування опублікованих робіт (див. вплив відкритого доступу).
