ЗАХОПЛЕННЯ ЕЛЕКТРОМАГНІТНИХ ХВИЛЬ ДЕКОРОВАНИМИ МІКРОМЕХАНІЧНИМИ (ГРАНУЛЬОВАНИМИ) СИСТЕМАМИ
Ключові слова
Анотація
Запропоновано підхід до створення умов для захисту від електромагнітних випромінювань на основі положень сучасної фотоніки, в якій роль основного елемента відіграють декоровані мікромеханічні (зернисті) матеріали.
Вивчається хвильовий транспорт у горизонтальному ланцюгу, що складається з ізольованих однакових частинок — гранул, за умови, що частинки контактують одна з одною щільно, без розривів, а також зазнають орієнтованого попереднього стиснення, сконфігурованого вздовж осі ланцюга, що не порушує топологічний порядок. Таким чином, система має вигляд сегментів, що чергуються по горизонталі, заповнених недеформованими частинками та зонами їхнього взаємного перекриття (так звана шарувато-періодична структура). Показано, що в такій системі зі зменшенням частоти відповідні компоненти в спектрі зміщуються до нижньої межі забороненої зони. Цей стан не відповідає умовам поширення. Тому в розглянутій моделі, яка відповідає реальному прототипу (декорований домішками, або такий, що містить дефекти зернистий ланцюжок), електромагнітна хвиля ніби «захоплюється» декорувальною частинкою або дефектом і «затримується» в деяких масштабах власного оточення.
Розуміння фізичних властивостей гранульованих систем є необхідним елементом технологій для маніпулювання їхніми властивостями та використання їх у багатьох галузях промисловості та науки. Значна частина досліджень спрямована на вивчення взаємодії зовнішніх полів (звукових, електромагнітних) з гранульованими (дискретними) системами. Тому теоретичне моделювання взаємодії електромагнітних хвиль, навіть з низькорозмірною системою дискретних центрів, є корисним інструментом на шляху до розуміння загальних фізичних процесів та їхнього використання в задачах електромагнітного захисту.
На цьому шляху і з вказаною метою розглянуто задачу про поширення електромагнітної хвилі в шаруватій періодичній структурі (ШПС), з різними фізичними властивостями шарів (такими, скажімо, як діелектрична проникність).
