ОЦІНЮВАННЯ ПАРАМЕТРІВ ПЕРЕМИКАННЯ КОМІРКИ ПАМ’ЯТІ НА БАЗІ АМОРФНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Анотація

Розглянуто питання обчислення та якісного оцінювання часу затримки перемикання комірки пам’яті на базі аморфного напівпровідника від температури та концентрації пасток захоплення. На основі отриманих формул побудовано та проаналізовано графіки залежності часу затримки від температури для різних значень іонізаційного бар’єру та графіки залежності часу затримки від концентрації пасток захоплення для різних значень рухливості дірок.