ОПТИМІЗАЦІЯ РЕЖИМІВ ФОРМУВАННЯ ІНЖЕКТУЮЧИХ БАР’ЄРНИХ ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ СРІБЛА ДО АРСЕНІДУ ГАЛІЮ

Анотація

Процеси, які відбуваються при взаємодії металів з напівпровідниковими сполуками А₃В₅, є предметом інтенсивних досліджень, які підтвердили складність процесів, котрі протікають у контактах на межі розподілу фаз. Досліджено умови виготовлення та режими термічної обробки контакту Ag/n-n⁺GaAs. Визначені: температура підкладки; температура відпалу, час відпалу; швидкість підвищення температури відпалу та охолодження для отримання бар’єрного переходу Ag/n-n⁺GaAs з висотою бар’єра 0,98 В. Підвищення висоти потенційного бар’єра пов’язане з поліпшенням адгезії плівок, а також початком взаємної дифузії хімічних елементів срібла, галію та миш’яку, що утворюють контакт.