Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу
Ключові слова
фотореактивний ефект
мдн-фототранзистор
повний опір
оптичне випромінювання
Анотація
Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв'язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.
Як цитувати
[1]
«Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу», Вісник ВПІ, вип. 4, с. 92–98, Лис 2010, дата звернення: Жов 05, 2026. доступний у: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/626
