Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу
Ключові слова:
фотореактивний ефект, мдн-фототранзистор, повний опір, оптичне випромінюванняАнотація
Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв'язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 34
Переглядів анотації: 125
Опубліковано
2010-11-12
Як цитувати
[1]
В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко, і С. В. Барабан, «Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу», Вісник ВПІ, вип. 4, с. 92–98, Листоп. 2010.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, згодні з такими умовами:
- Автори зберігають авторське право і надають журналу право першої публікації.
- Автори можуть укладати окремі, додаткові договірні угоди з неексклюзивного поширення опублікованої журналом версії статті (наприклад, розмістити її в інститутському репозиторії або опублікувати її в книзі), з визнанням її первісної публікації в цьому журналі.
- Авторам дозволяється і рекомендується розміщувати їхню роботу в Інтернеті (наприклад, в інституційних сховищах або на їхньому сайті) до і під час процесу подачі, так як це може привести до продуктивних обмінів, а також скорішого і ширшого цитування опублікованих робіт (див. вплив відкритого доступу).
