Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу

  • В. С. Осадчук
  • О. В. Осадчук
  • О. М. Ільченко
  • С. В. Барабан
Ключові слова: фотореактивний ефект, мдн-фототранзистор, повний опір, оптичне випромінювання

Анотація

Проведено аналіз фотореактивного ефекту в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу на основі розв'язку рівняння перенесення носіїв заряду в каналі транзистора при дії світла, що дало можливість теоретично розрахувати повний опір каналу і отримати аналітичну залежність його складових від потужності оптичного випромінювання.
Переглядів анотації: 109 Завантажень PDF: 98
Опубліковано
2010-11-12
Як цитувати
[1]
В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко, і С. В. Барабан, Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітлення каналу, Вісник Вінницького політехнічного інституту, № 4, с. 92-98, Лис 2010.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування

Завантаження

Данные скачивания пока не доступны.

Найчитабильні статті цього ж автора(ів)