ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ТЕМПЕРАТУРИ НА ФІЗИЧНІ ПАРАМЕТРИ НАПІВПРОВІДНИКА µ-МЕТОКСО(КУПРУМ(ІІ), БІСМУТ(ІІІ)) АЦЕТИЛАЦЕТОНАТУ

Автор(и)

  • О. В. Осадчук Вінницький національний технічний університет
  • В. В. Мартинюк Вінницький національний технічний університет
  • М. В. Євсєєва Вінницький національний технічний університет
  • О. О. Селецька Вінницький національний технічний університет

DOI:

https://doi.org/10.31649/1997-9266-2019-145-4-80-86

Ключові слова:

індукція, магнітне поле, концентрація, напівпровідник, гетерометалеві комплексні сполуки

Анотація

Гетерометалевим комплексним сполукам притаманний напівпровідниковий тип провідності, інтервал робочих температур яких залежить від природи центральних атомів металів, місткових лігандів, стереохімії метал-лігандного оточення, і можуть бути використані як напівпровідниковий матеріал.

Розроблена методика синтезу гетерометалевого µ-метоксо(купрум(ІІ), бісмут(ІІІ)) ацетилаце­тонату(І). Cинтезовано напівпровідниковий матеріал µ-метоксо(купрум(ІІ), бісмут(ІІІ)) ацетилацетонат, такого складу: Cu3Bi(AA)4(OCH3)5, де HAA = H3C–C(O)–CH2–C(O)–CH3.

Метою дослідження є дослідження впливу температури на фізичні параметри синтезованого напівпровідникового матеріалу.

Проведено експериментальні вимірювання та теоретичні розрахунки залежностей основних фізичних параметрів цього матеріалу від температури та магнітного поля. Так, в діапазоні температур від 273 К до 493 К питомий опір зразків досліджуваного матеріалу зменшився з 1,35∙1014 Ом∙м до 1,5∙10-4 Ом∙м; опір зразка, розмірами 0,5×0,5×0,15 мм, за 273 К рівний 9,01∙1017 Ом, а за 493 К — 1 Ом; концентрація носіїв заряду за температури 273 К становить 4,9∙1017 м-3, за 323 К — 8,2∙1023 м-3, тоді як за температури 493 К концентрація носіїв вже становить 4,4∙1035 м-3; величина струму за напруги живлення 1 В та температури 273 К — І = 1,1∙10-18 А, максимальне значення струму досягається за температури 493 К — І = 0,99 А. Залежності напруженності Холлівського поля в середині напівпровідника від індукції магнітного поля за різних температур, та напруги Холла показують, що дані величини не залежать від температури і, збігаються в одну лінію. В діапазоні від 0 до 200 мТ Холлівська напруга зростає від 1,12·10-11 до 2,24·10-10 В, від 200 до 600 мТ — від 2,24·10-10 В до 6,73·10-10 В і від 600 мТ до 1000 мТ — Холлівська напруга зростає від 6,73·10-10 до 1,12·10-9 В. Доведено, що цей матеріал є напівпровідником, причому з носіями заряду обох знаків.

Біографії авторів

О. В. Осадчук, Вінницький національний технічний університет

д-р техн. наук, професор, завідувач кафедри радіотехніки

В. В. Мартинюк, Вінницький національний технічний університет

канд. техн. наук, доцент кафедри електроніки та наносистем

М. В. Євсєєва, Вінницький національний технічний університет

канд. хім. наук, доцент кафедри хімії та хімічної технології

О. О. Селецька, Вінницький національний технічний університет

канд. техн. наук, старший викладач кафедри електроніки та наносистем

##submission.downloads##

Переглядів анотації: 262

Опубліковано

2019-08-30

Як цитувати

[1]
О. В. Осадчук, В. В. Мартинюк, М. В. Євсєєва, і О. О. Селецька, «ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ТЕМПЕРАТУРИ НА ФІЗИЧНІ ПАРАМЕТРИ НАПІВПРОВІДНИКА µ-МЕТОКСО(КУПРУМ(ІІ), БІСМУТ(ІІІ)) АЦЕТИЛАЦЕТОНАТУ», Вісник ВПІ, вип. 4, с. 80–86, Серп. 2019.

Номер

Розділ

Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>