Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі

Анотація

Обґрунтовано спосіб визначення параметрів еквівалентної схеми активної області кристала однозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ1), що базується на результатах вимірювання коефіцієнта максимально стійкого підсилення з різними схемами його включення і дозволяє зменшити вплив частини елементів корпуса і пасивної області кристала. Аналіз структури двозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ2) показав, що його можна розглядати як два однозатворних ПТШ1, стік одного з яких з'єднаний із джерелом другого ПТШ. Це дозволяє ставити задачу поширення способу визначення параметрів однозатворних ПТШ, на визначення ряду параметрів фізичної еквівалентної схеми двозатворних ПТШ.