Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора
Ключові слова:
потенційно нестійкий одноперехідний транзистор, вимірювання індуктивностей, стійкість вимірювальної установки, похибкаАнотація
Запропоновано експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора. Перевагою способу є ослаблений вплив на результати вимірювань індуктивностей виводів та міжелектродних ємностей, та гарантована стійкість вимірювальної установки при вимірюванні параметрів потенційно нестійкого одноперехідного транзистора, що веде до зниження похибок визначення.##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 34
Переглядів анотації: 89
Опубліковано
2010-11-12
Як цитувати
[1]
Л. Б. Ліщинська, А. Г. Шведюк, і Н. А. Філинюк, «Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора», Вісник ВПІ, вип. 6, с. 137–140, Листоп. 2010.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, згодні з такими умовами:
- Автори зберігають авторське право і надають журналу право першої публікації.
- Автори можуть укладати окремі, додаткові договірні угоди з неексклюзивного поширення опублікованої журналом версії статті (наприклад, розмістити її в інститутському репозиторії або опублікувати її в книзі), з визнанням її первісної публікації в цьому журналі.
- Авторам дозволяється і рекомендується розміщувати їхню роботу в Інтернеті (наприклад, в інституційних сховищах або на їхньому сайті) до і під час процесу подачі, так як це може привести до продуктивних обмінів, а також скорішого і ширшого цитування опублікованих робіт (див. вплив відкритого доступу).
