Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі

  • М. А. Філинюк
  • Д. В. Гаврілов
  • Л. Б. Ліщинська
Ключові слова: транзистор шоткі, фізична модель, стійке підсилення

Анотація

Обґрунтовано спосіб визначення параметрів еквівалентної схеми активної області кристала однозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ1), що базується на результатах вимірювання коефіцієнта максимально стійкого підсилення з різними схемами його включення і дозволяє зменшити вплив частини елементів корпуса і пасивної області кристала. Аналіз структури двозатворного польового транзистора Шотки (ПТШ2) показав, що його можна розглядати як два однозатворних ПТШ1, стік одного з яких з'єднаний із джерелом другого ПТШ. Це дозволяє ставити задачу поширення способу визначення параметрів однозатворних ПТШ, на визначення ряду параметрів фізичної еквівалентної схеми двозатворних ПТШ.
Переглядів анотації: 35 Завантажень PDF: 5
Опубліковано
2010-11-12
Як цитувати
[1]
М. А. Філинюк, Д. В. Гаврілов, і Л. Б. Ліщинська, Визначення параметрів фізичної моделі двозатворного польового транзистора Шоткі, Вісник Вінницького політехнічного інституту, № 4, с. 93-96, Лис 2010.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування

Завантаження

Данные скачивания пока не доступны.

Найчитабильні статті цього ж автора(ів)