Аналіз імпедансних властивостей комбінованого світлоприймального оптонегатрона
Ключові слова:
оптонегатрон, фототранзистор, інваріантний коефіцієнт стійкості, імпедансАнотація
Запропоновано математичну модель комбінованого оптонегатрона на біполярному фототранзисторі, проведено дослідження впливу інтенсивності оптичного випромінювання на основні імпедансні характеристики комбінованих транзисторних оптонегатронів у діапазоні частот, де вони є потенційно-нестійкими.##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 30
Переглядів анотації: 119
Опубліковано
2010-11-12
Як цитувати
[1]
М. А. Філинюк і С. Є. Швейкіна, «Аналіз імпедансних властивостей комбінованого світлоприймального оптонегатрона», Вісник ВПІ, вип. 5, с. 155–158, Листоп. 2010.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, згодні з такими умовами:
- Автори зберігають авторське право і надають журналу право першої публікації.
- Автори можуть укладати окремі, додаткові договірні угоди з неексклюзивного поширення опублікованої журналом версії статті (наприклад, розмістити її в інститутському репозиторії або опублікувати її в книзі), з визнанням її первісної публікації в цьому журналі.
- Авторам дозволяється і рекомендується розміщувати їхню роботу в Інтернеті (наприклад, в інституційних сховищах або на їхньому сайті) до і під час процесу подачі, оскільки це сприяє продуктивним обмінам, а також швидшому і ширшому цитуванню опублікованих робіт (див. вплив відкритого доступу).