Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
ВОЛОГОЧУТЛИВИЙ ДВОЗАТВОРНИЙ МДН-ТРАНЗИСТОР
Ключові слова
двохзатворний вологочутливий мдн-транзистор
вологість
пористий окис кремнію
Анотація
Розроблено структуру і проведено математичне моделювання двозатворного вологочутливого МДН-транзистора з чутливим шаром з пористого кремнію, на основі якого отримано аналітичну залежність повного опору структури, а також графічні залежності активної, реактивної складових повного опору та ємності структури від зміни вологості навколишнього середовища. В діапазоні відносної вологості від 10 до 90 % ємність структури змінюється від 200 до 700 мкФ.
Як цитувати
[1]
«ВОЛОГОЧУТЛИВИЙ ДВОЗАТВОРНИЙ МДН-ТРАНЗИСТОР», Вісник ВПІ, вип. 6, с. 93–96, Лис 2010, дата звернення: Жов 03, 2026. доступний у: https://visnyk.vntu.edu.ua/index.php/visnyk/article/view/1623
