Розробка радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник

Автор(и)

  • В. С. Осадчук
  • О. В. Осадчук
  • С. В. Барабан
  • О. М. Ільченко

Ключові слова:

тонкі сегнетоелектричні плівки, золь-гель процес, радіовимірювальні мікроелектронні перетворювачі температури, структура метал-сегнетоелектрик-напівпровідник, транзисторні структури з від'ємним опором

Анотація

Проаналізовано сучасні технології отримання тонких сегнетоелектричних плівок, методи побудови радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури. Запропоновано новий метод вимірювання температури на основі поєднання сегнетоелектричних тонких плівок з транзисторними структурами з від'ємним опором та розроблено електричні схеми радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник.

##submission.downloads##

Переглядів анотації: 123

Опубліковано

2010-11-12

Як цитувати

[1]
В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан, і О. М. Ільченко, «Розробка радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник», Вісник ВПІ, вип. 3, с. 94–97, Лис 2010.

Номер

Розділ

Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>