Розробка радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник
Ключові слова:
тонкі сегнетоелектричні плівки, золь-гель процес, радіовимірювальні мікроелектронні перетворювачі температури, структура метал-сегнетоелектрик-напівпровідник, транзисторні структури з від'ємним опоромАнотація
Проаналізовано сучасні технології отримання тонких сегнетоелектричних плівок, методи побудови радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури. Запропоновано новий метод вимірювання температури на основі поєднання сегнетоелектричних тонких плівок з транзисторними структурами з від'ємним опором та розроблено електричні схеми радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник.##submission.downloads##
-
PDF
Завантажень: 30
Переглядів анотації: 175
Опубліковано
2010-11-12
Як цитувати
[1]
В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан, і О. М. Ільченко, «Розробка радіовимірювальних мікроелектронних перетворювачів температури на основі структури метал-сегнетоелектрик-напівпровідник», Вісник ВПІ, вип. 3, с. 94–97, Листоп. 2010.
Номер
Розділ
Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, згодні з такими умовами:
- Автори зберігають авторське право і надають журналу право першої публікації.
- Автори можуть укладати окремі, додаткові договірні угоди з неексклюзивного поширення опублікованої журналом версії статті (наприклад, розмістити її в інститутському репозиторії або опублікувати її в книзі), з визнанням її первісної публікації в цьому журналі.
- Авторам дозволяється і рекомендується розміщувати їхню роботу в Інтернеті (наприклад, в інституційних сховищах або на їхньому сайті) до і під час процесу подачі, оскільки це сприяє продуктивним обмінам, а також швидшому і ширшому цитуванню опублікованих робіт (див. вплив відкритого доступу).
