Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора

Автор(и)

  • Л. Б. Ліщинська
  • А. Г. Шведюк
  • Н. А. Філинюк

Ключові слова:

потенційно нестійкий одноперехідний транзистор, вимірювання індуктивностей, стійкість вимірювальної установки, похибка

Анотація

Запропоновано експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора. Перевагою способу є ослаблений вплив на результати вимірювань індуктивностей виводів та міжелектродних ємностей, та гарантована стійкість вимірювальної установки при вимірюванні параметрів потенційно нестійкого одноперехідного транзистора, що веде до зниження похибок визначення.

##submission.downloads##

  • PDF
    Завантажень: 40
Переглядів анотації: 97

Опубліковано

2010-11-12

Як цитувати

[1]
Л. Б. Ліщинська, А. Г. Шведюк, і Н. А. Філинюк, «Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора», Вісник ВПІ, вип. 6, с. 137–140, Листоп. 2010.

Номер

№ 6 (2008)

Розділ

Радіоелектроніка та радіоелектронне апаратобудування

Метрики

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Ліцензія

Автори, які публікуються у цьому журналі, згодні з такими умовами:

  • Автори зберігають авторське право і надають журналу право першої публі­кації.
  • Автори можуть укладати окремі, додат­кові договірні угоди з неексклюзив­ного поширення опублікованої журналом версії статті (наприклад, розмістити її в інститутському репозиторії або опубліку­вати її в книзі), з визнанням її первісної публікації в цьому журналі.
  • Авторам дозволяється і рекомендується розміщувати їхню роботу в Інтернеті (наприклад, в інституційних сховищах або на їхньому сайті) до і під час процесу подачі, оскільки це сприяє продуктивним обмінам, а також швидшому і ширшому цитуванню опубліко­ва­них робіт (див. вплив відкритого доступу).

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають